EEPROM提高耐寫(xiě)性能的關(guān)鍵技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進(jìn)的CMOSF8H 0.15 μm制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)EEPROM，在25°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)400萬(wàn)次；在150°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)40萬(wàn)次�？偰蛯�(xiě)性能為10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年（55°C）。
增強(qiáng)的耐寫(xiě)性能和延長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)EEPROM壽命而耗費(fèi)存儲(chǔ)容量的解決方案。此外，總耐寫(xiě)性能使其可用于汽車(chē)或醫(yī)療等因?yàn)榄h(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應(yīng)用（數(shù)據(jù)記錄）。
